碳化硅粉體表面改性對分散性能的影響研究_百度文庫
碳化硅粉(fen)體(ti)表面改(gai)性(xing)對分散性(xing)能的(de)影響研究(jiu)蘇小紅1,周波2,武七德(de)2,吉(ji)曉莉2(1理學(xue)院(yuan)海軍T程大學(xue),湖北武漢430033;2硅酸鹽材料與工程教育部吏驗(yan)室武漢理l:。
碳化硅粉體表面改性對分散性能的影響研究-豆丁網
碳(tan)(tan)化硅流變特性(xing)包覆改(gai)(gai)性(xing)表(biao)面(mian)結構(gou)摘要(yao):采用表(biao)面(mian)接枝改(gai)(gai)性(xing)的方法(fa)對碳(tan)(tan)化硅粉(fen)體進(jin)行(xing)表(biao)面(mian)改(gai)(gai)性(xing)。通過對3種改(gai)(gai)性(xing)粉(fen)的表(biao)面(mian)特性(xing)、分散穩定性(xing)能、流變性(xing)能進(jin)行(xing)比較,。
碳化硅粉體表面改性對分散性能的影響研究-《中國粉體技術》2007
碳(tan)化(hua)硅表面(mian)改性(xing)PAA-NaZeta電位分(fen)散穩定性(xing)半導(dao)體制(zhi)造用高純超細碳(tan)化(hua)硅陶瓷粉體表面(mian)改性(xing)研(yan)究李星摘要(yao):SiC因具(ju)有(you)抗氧化(hua)性(xing)強(qiang)、高溫(wen)強(qiang)度大、耐磨損(sun)性(xing)好。
半導體制造用高純超細碳化硅陶瓷粉體表面改性研究-《青海大學》
碳(tan)化硅粉體(ti)表面(mian)改(gai)(gai)性機理第(di)12-14頁碳(tan)化硅粉體(ti)表面(mian)改(gai)(gai)性方(fang)法(fa)第(di)14-15頁包覆改(gai)(gai)性方(fang)法(fa)第(di)14-15頁表面(mian)化學改(gai)(gai)性第(di)15頁表面(mian)改(gai)(gai)性對粉體(ti)性能的。
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采用KH-550硅烷(wan)偶聯(lian)劑對SiC粉體進(jin)行表面改性,通(tong)過單(dan)因素(su)實驗及(ji)正交試(shi)驗確定(ding)出改性過程化(hua)工藝(yi)參(can)數:反應溫(wen)度90℃,反應時(shi)間4h,KH-550硅烷(wan)偶聯(lian)劑用量(liang)1.5g,并(bing)。
碳化硅粉體表面改性及漿料流變性研究-收費碩士博士論文-論文天下
采用KH-550硅烷偶(ou)聯劑對SiC粉體進行表面(mian)改性(xing),通過(guo)單因素實驗及正交試驗確定出改性(xing)過(guo)程化(hua)工藝參數:反應溫度90℃,反應時間4h,KH-550硅烷偶(ou)聯劑用量1.5g,并。
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濰坊烽元陶瓷(ci)有限公(gong)司專業提供主要生產銷(xiao)售產品(pin):真(zhen)空無壓高溫(wen)燒結(jie)爐,碳(tan)(tan)化硅微(wei)粉(太(tai)陽能電池硅片(pian)、半(ban)導體晶圓片(pian)切割用碳(tan)(tan)化硅微(wei)粉)、碳(tan)(tan)化硅超細微(wei)粉(無壓燒結(jie)制品(pin)用超細。
半導體制造用碳化硅粉體偶聯劑表面改性ResearchonSurface
硅烷(wan)偶(ou)聯劑對(dui)碳化硅粉體的(de)表面改性,碳化硅;;表面改性;;硅烷(wan)偶(ou)聯劑;;分散性,鐵生年;李星;,硅酸鹽學(xue)報(bao)。采用KH-550硅烷(wan)偶(ou)聯劑對(dui)SiC粉體表面進(jin)行改性,得到(dao)。
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硅烷偶聯劑對碳化硅粉體的表面改性-《硅酸鹽學報》2011年第03期-
半導(dao)(dao)體制造用高(gao)純超細碳(tan)化硅陶瓷粉體表面改性(xing)(xing)研究-SiC因(yin)具(ju)有抗氧化性(xing)(xing)強(qiang)、高(gao)溫(wen)強(qiang)度(du)(du)大、耐磨損(sun)性(xing)(xing)好、熱(re)穩定性(xing)(xing)佳、熱(re)膨脹系數(shu)小、熱(re)導(dao)(dao)率大、硬度(du)(du)和彈性(xing)(xing)模量(liang)高(gao)、抗熱(re)。
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本發明涉及(ji)一種碳化硅(gui)表面(mian)改(gai)性方法(fa)。將碳化硅(gui)粉末(mo)焙燒用雙(shuang)氧水與濃硫酸(suan)混合(he)溶(rong)液浸泡;取出用去離子水沖洗(xi)干(gan)凈并(bing)烘(hong)干(gan),再與偶聯劑反(fan)應1～4小時,把(ba)碳化硅(gui)再放(fang)入丙酮溶(rong)液。
半導體制造用高純超細碳化硅陶瓷粉體表面改性研究_CNKI學問
碳化(hua)硅(gui)微(wei)粉表面改性(xing)及其在磨(mo)(mo)(mo)具(ju)中的應用,全文下載。碳化(hua)硅(gui)(SiC)微(wei)粉作為磨(mo)(mo)(mo)料或填料在陶瓷精磨(mo)(mo)(mo)磨(mo)(mo)(mo)具(ju)、樹脂拋(pao)光(guang)砂輪以及金剛石(shi)拋(pao)光(guang)砂輪等(deng)方面有著廣(guang)泛。
一種碳化硅表面改性方法
關鍵詞(ci):碳化硅(gui);表面(mian)改性(xing)(xing);硅(gui)烷偶聯(lian)劑;分散性(xing)(xing);機構:青海大學非金屬材料研究所;摘(zhai)要:采用(yong)KH-550硅(gui)烷偶聯(lian)劑對SiC粉體進行改性(xing)(xing),研究了影響SiC粉體改性(xing)(xing)的(de)各種。
碳化硅微粉表面改性及其在磨具中的應用-CNKI機構館在線
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KH-550硅烷偶聯劑對半導體制造用碳化硅粉體表面的改性研究
詳細說明表面改性處理碳化硅(gui)微粉(fen)規格:GC09型(xing)號:GC09數(shu)量:50000KG品牌:包裝:烽元(yuan)(fy)價格:面議重結(jie)晶專用微粉(fen)GC09產品說明:一、該產品是重結(jie)晶。
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有道有道詞典(dian)網絡釋義1.改性碳化(hua)硅微粉(fen):GREENSIC改性碳化(hua)硅微粉(fen)詞典(dian)幫助詞典(dian)首頁有道首頁反饋意見2013網易公司。
表面改性處理碳化硅微粉-錢眼產品
采(cai)用聚乙烯亞胺(Polyethyleneimine,PEI)作為(wei)表面活性劑對(dui)工業用β-SiC超細(xi)粉(fen)體進行表面改性,采(cai)用離心式噴霧干(gan)燥技術對(dui)碳化硅漿(jiang)料進行干(gan)燥.通過(guo)掃(sao)描電鏡、X射線衍射儀。
改性碳化硅微粉_有道手機詞典
采用(yong)表(biao)面(mian)接枝改(gai)性(xing)(xing)(xing)(xing)的方法對碳化(hua)硅粉(fen)(fen)體進行(xing)表(biao)面(mian)改(gai)性(xing)(xing)(xing)(xing)。通過對3種(zhong)改(gai)性(xing)(xing)(xing)(xing)粉(fen)(fen)的表(biao)面(mian)特性(xing)(xing)(xing)(xing)、分散穩定性(xing)(xing)(xing)(xing)能(neng)、流變性(xing)(xing)(xing)(xing)能(neng)進行(xing)比較,發現水(shui)楊酸和(he)丙烯酰胺組合的改(gai)性(xing)(xing)(xing)(xing)劑對SiC微粉(fen)(fen)的改(gai)性(xing)(xing)(xing)(xing)。
聚乙烯亞胺對β-碳化硅粉體的表面改性研究StudyonSurface
本發明(ming)涉及(ji)一種(zhong)改性的碳化硅粉末及(ji)其(qi)制備方法(fa),其(qi)特征在(zai)于:所述碳化硅粉末由(you)微觀表面粗(cu)糙、外形圓整、沒有(you)尖銳棱角的碳化硅顆粒組成。本發明(ming)的方法(fa)是通過利用高能氣流。
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而(er)且粉體改性后(hou)碳化硅陶瓷制品的燒結性能也得到了改善。二、表面(mian)化學改性表面(mian)化學改性通過表面(mian)改性劑與顆粒表面(mian)進行(xing)化學反應或(huo)化學吸附的方式完成。Shirai等利用。
一種改性碳化硅粉末及其制備方法-查詢下載-中國應用技術網
[摘要(yao)]本技(ji)術涉(she)及(ji)一(yi)種改性的碳化硅粉(fen)末及(ji)其(qi)(qi)制備(bei)方法,其(qi)(qi)特征在(zai)于:所(suo)述碳化硅139超細粉(fen)末涂(tu)料(liao)及(ji)其(qi)(qi)制備(bei)方法140一(yi)種β-賽隆陶(tao)瓷粉(fen)末的制備(bei)方法134一(yi)種制備(bei)。
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亞微米(mi)級碳化硅主要用(yong)途:1、改性高(gao)強(qiang)度尼(ni)龍合(he)金用(yong)新材(cai)料(liao):超細粉體顆粒在高(gao)分子復合(he)材(cai)料(liao)中相容性好分散度好,和基本(ben)結(jie)合(he)性好,改性后高(gao)強(qiang)度尼(ni)龍合(he)金抗拉強(qiang)度比。
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<strong;碳化硅的性質:</strong;<br/;<br/;綠碳化硅是以石油
聚乙烯(xi)亞(ya)胺對β-碳(tan)化(hua)硅(gui)粉體的表(biao)面改(gai)性研究,曉剛張(zhang)瑞(rui)鄧麗(li)榮郝麗(li)麗(li)陸樹河(he)嘉博(bo)華(hua)小虎;-材料導報(bao)2013年第10期在線(xian)閱讀、文(wen)章(zhang)下載。<正;0引言β-SiC以其優異(yi)。
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黑(hei)碳化硅細(xi)粉的(de)應(ying)用范(fan)圍越來越廣,需求在進一(yi)步增(zeng)加,我公司已采用風選法,水分法水晶切割研磨,汽(qi)車發(fa)動機原件制造,特種涂(tu)料行(xing)業(ye)(ye),塑(su)料制品改性,脫硫供電(dian)環保(bao)行(xing)業(ye)(ye)等。
聚乙烯亞胺對β-碳化硅粉體的表面改性研究-《材料導報》2013年10
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供應汽車發動機原件制造,特種涂料行業,塑料制品改性用碳化硅細粉
碳化硅(gui)(gui)晶須和顆粒納(na)米金(jin)屬/非(fei)金(jin)屬粉(fen)納(na)米合金(jin)粉(fen)納(na)米氧化物/化合物新開發產(chan)品主要用途納(na)米SIC環氧樹脂(zhi)復合材料導熱機理納(na)米SIC納(na)米碳化硅(gui)(gui)改性SIC碳化硅(gui)(gui)顆粒。
粉體表面改性-學術百科-知網空間
2013年4月25日-結果(guo)表明:酒石酸(suan)的用量(liang)對碳(tan)化硅(gui)粉(fen)體表面活(huo)性的影響有(you)很大(da)程度的差別。一般情況下,酒石酸(suan)在用量(liang)為0.05%時,對碳(tan)化硅(gui)表面改(gai)性作用。胡(hu)圣飛等使用。
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2008年10月22日(ri)-1、改(gai)性高強度尼龍合金用新材料:納(na)米(mi)β-sic粉體顆粒在(zai)高分子復合材料中后的(de)納(na)米(mi)碳化硅(gui),在(zai)添(tian)加(jia)量為10%左右時,可大(da)大(da)改(gai)善和提(ti)高PEEK的(de)耐磨性。
超細粉體材料表面改性方法概括分析-粉體-涂料原料行業-hc360慧聰網
1、改性高(gao)強度(du)尼(ni)龍合金用新材料(liao):納(na)米β-sic粉體顆粒在(zai)(zai)高(gao)分子復合材料(liao)中相容3、納(na)米碳化硅在(zai)(zai)橡(xiang)膠輪胎(tai)的應用:添加(jia)一(yi)定量的納(na)米碳化硅在(zai)(zai)不(bu)改變原(yuan)膠配方進行(xing)改。
納米碳化硅粉體
本研究中的(de)有機(ji)包(bao)覆改性SiC微粉通(tong)過硅烷偶聯(lian)劑處理以(yi)及(ji)有機(ji)單體在其表(biao)面上的(de)接枝聚合而獲得。通(tong)過X-射線衍(yan)射分析改性前后粉體的(de)主要物相成(cheng)分;以(yi)粉體懸浮液離心。
供應納米碳化硅粉體(圖)-供應信息-環球經貿網
改性SiC微粉(fen)復合粒子的制(zhi)備與(yu)表征,針對SiC超細(xi)微粉(fen)在磨具(ju)制(zhi)造過程中存在的易團聚、分散穩(wen)定(ding)性差、與(yu)結合劑(ji)相容性低等問(wen)題,本(ben)課題借助懸浮聚合工藝,采用聚丙烯酸(suan)對SiC。
有機包覆改性SiC粉體表面結構與性質的表征吉曉莉李美娟武七德-
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無機納米材料的表面修飾改性與物性研究_百度百科
2010年5月26日-摘要:采(cai)用納米碳(tan)化硅(nm-SiC)對(dui)氰酸酯樹(shu)脂(CE)進(jin)行了改性(xing),通過(guo)靜態力(li)學納米SiC:粒徑4060nm,灰(hui)綠(lv)色超細粉末,合肥開爾(er)納米發展有限公司生產,。
改性SiC微粉復合粒子的制備與表征-碳化硅微粉表面改性聚丙烯酸
主要是碳化硅、立方體(ti)(ti)碳化硅方面(mian)的知識(shi)、信息、新聞,影(ying)響(xiang)粉體(ti)(ti)表面(mian)改性效果的主要因(yin)素在要求一定單分子層包覆率和(he)使用同一種表面(mian)改性劑的情況(kuang)下,粉體(ti)(ti)的粒度(du)越(yue)細(xi),。