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SiC粉末化學鍍Cu工藝研究(3)_劍心_新浪博客

Cu復合粉體金相(xiang)顯微圖,亮白色(se)的為碳化硅顆(ke)(ke)粒(li),顆(ke)(ke)粒(li)周(zhou)圍(wei)的暗灰(hui)色(se)層為包覆的銅層,從圖3.8和圖3.9可以看出(chu):140目粉末鍍覆質量(liang)相(xiang)對較(jiao)高(gao),墨綠色(se)的SiC顆(ke)(ke)粒(li)上。

pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘要(yao):對(dui)碳化(hua)硅(gui)表面進(jin)行化(hua)學(xue)鍍(du)(du)(du)鎳,研究了鍍(du)(du)(du)液的(de)pH值對(dui)鍍(du)(du)(du)速、鍍(du)(du)(du)層組織及形貌9丁莉莉;化(hua)學(xue)鍍(du)(du)(du)法制(zhi)備Cu-Si復合粉體工藝研究[D];中國海洋(yang)大學(xue);2009年10。

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2008年10月22日-納(na)米碳化硅粉體2009-10-2210:47性(xing)能(neng)特(te)點本(ben)產(chan)品純度高(gao)、粒徑(jing)小(xiao)、分布均勻,比表(biao)面積大(da)、高(gao)表(biao)面活性(xing),松裝(zhuang)密度低(di),具(ju)有(you)極好的力學(xue)、熱學(xue)、電(dian)學(xue)和。

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超細粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)金(jin)屬粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)級粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)末納(na)(na)(na)米(mi)(mi)石墨粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)碳化硅合成納(na)(na)(na)米(mi)(mi)細粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)鐵粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)銅粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)Zn粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)WC粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)TiN粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)Ni粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)Cu粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)Al粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)金(jin)剛(gang)石粉(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)。

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2011-2016年中國超細碳化硅粉體行業當前現狀及未來趨勢發展預測報告

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納米碳(tan)化硅(gui),超細碳(tan)化硅(gui)粉通(tong)過特殊(shu)工藝方法制備(bei),具有純度(du)高(gao)(gao),粒徑分布范圍小,高(gao)(gao)比(bi)表面積;納米碳(tan)化硅(gui)具有化學(xue)性能(neng)穩定,導熱系數高(gao)(gao)(165W/M.K),熱膨(peng)脹(zhang)系數小,硬度(du)高(gao)(gao),。

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[摘要(yao)]本(ben)發(fa)明涉及(ji)一(yi)種以(yi)酵母(mu)粉為造孔劑的碳化硅基(ji)體之基(ji)底的機(ji)械(xie)產品,其外表面還具有(you)一(yi)氧化鋁覆層。從(cong)而(er)獲得高體積分數的SiCp/Cu復合材料。本(ben)發(fa)明能夠。

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10.亢景付,張振利,韓春(chun)翠(cui).等強(qiang)條(tiao)件下(xia)橡(xiang)膠粉(fen)對碾壓混(hun)凝土強(qiang)度與變形性(xing)能(neng)的34.劉(liu)桂(gui)香,黃向東,鄭振環,李強(qiang).熱(re)壓燒結一步法制備Cf/Cu復合材料的組織。

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玉慶,作明,劉敏,周本濂,師昌緒.碳纖維涂覆碳化硅的研究[j].復合

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1、包(bao)覆(fu)(fu)(fu)鋇鐵氧體(ti)薄膜(mo)的(de)(de)碳化硅電磁吸波(bo)材料及(ji)其制備8、Cu包(bao)裹SiC復合粉體(ti)工藝的(de)(de)研(yan)(yan)究9、Cu顆粒包(bao)覆(fu)(fu)(fu)79、粉體(ti)的(de)(de)表面修飾與表面包(bao)覆(fu)(fu)(fu)方(fang)法的(de)(de)研(yan)(yan)究80、覆(fu)(fu)(fu)。

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納(na)米碳化硅、超(chao)細(xi)碳化硅粉通(tong)過特殊工(gong)藝方法(fa)制備,具有純(chun)度高、粒徑分(fen)布范圍(wei)小、高比表面積(ji);納(na)米碳化硅具有化學性能穩(wen)定、導(dao)熱系(xi)數高(165W/M.K)、熱膨脹系(xi)數小、硬度。

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摘要:對(dui)碳(tan)化硅表面進行化學鍍(du)(du)鎳,研究了鍍(du)(du)液的(de)(de)pH值(zhi)對(dui)鍍(du)(du)速、鍍(du)(du)層(ceng)組織及形(xing)貌的(de)(de)影響。結果表明:鍍(du)(du)液pH值(zhi)低于8.5時,無反(fan)應(ying)發生,粉。

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為改善(shan)SiC與金屬的(de)結合性,分別(bie)采用化學鍍法和非均(jun)相沉淀法制備Cu包裹SiC顆粒(li)(li)復合粉體。通過XRD衍射分析得(de)出以上(shang)兩(liang)種包裹方法都可以得(de)到大部分包裹著Cu相的(de)SiC顆粒(li)(li),。

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碳化硅(gui)晶須的翻(fan)譯結果:sicwhisker;siliconcarbidewhisker;sicwhiskers雙(shuang)語例句(ju)英文(wen)(wen)例句(ju)相關文(wen)(wen)摘。

兩種Cu包裹SiC顆粒復合粉體工藝的研究RESEARCHONTWO

納米(mi)碳化(hua)硅(gui)、超(chao)細碳化(hua)硅(gui)粉通過特殊工(gong)藝方法制備,具有純度高、粒徑分布范圍小、高比表面積;納米(mi)碳化(hua)硅(gui)具有化(hua)學(xue)性能穩定、導熱(re)系數高(165W/M.K)、熱(re)膨脹系數小、硬(ying)度。

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控(kong)制的一些主(zhu)要(yao)方(fang)法(fa),綜述了目前(qian)幾種主(zhu)要(yao)金(jin)屬粉(fen)末(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納米(mi)碳化(hua)硅粉(fen)末納米(mi)金(jin)屬顆(ke)粒(li)納米(mi)金(jin)剛石粉(fen)納米(mi)細粉(fen)納米(mi)鐵粉(fen)納米(mi)銅粉(fen)納米(mi)級。

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分析時(shi)間從24小(xiao)時(shi)減到30min,但對Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要(yao)克服(fu)方(fang)法(fa)的1姚(yao)永生;;電感耦合等離子體原子發射光譜法(fa)測定碳(tan)化硅中雜質元素[J];冶金分析。

納米金屬粉末-學術百科-知網空間

3用天然高嶺土制備碳化(hua)硅晶須/氧化(hua)鋁復合(he)陶瓷粉的g161200580024384.X覆銅、抑(yi)制晶須生(sheng)成的方法、212200780014522.5晶須得到(dao)抑(yi)制的Cu-Zn合(he)金耐熱(re)。

提高氮化硅生產工藝-氮化硅陶瓷,薄膜,結合碳化硅,碳化硅,氧化硅

746-BG28813一種氮化硅(gui)/碳化硅(gui)多孔陶(tao)瓷的制備方法747-BG28813激光熔覆(fu)制備801-BG28813納米ZrO2(Y2O3)/Cu復合功能陶(tao)瓷材料的制備方法802-BG28813一種。

碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

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