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一種用四(si)氯化硅(gui)與液氨在有機溶(rong)劑界面反應(ying)生成硅(gui)亞胺,然(ran)后將其加熱(re)分解制得氮化硅(gui)粉末的方法及設備,其特。
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101136305納米(mi)級氮化(hua)硅(gui)復合(he)材料發熱體及制作工藝[摘要(yao)]本(ben)發明是對氮化(hua)硅(gui)發熱$902158760低壓(ya)(ya)燃燒合(he)成氮化(hua)硅(gui)或氮化(hua)硅(gui)鐵(tie)的方法及設備[摘要(yao)]低壓(ya)(ya)燃燒合(he)成。
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22.氮化(hua)硅(gui)發熱體及其制(zhi)造方法23.氮化(hua)硅(gui)發熱裝(zhuang)置24.氮化(hua)硅(gui)粉.其燒結體.基板(ban).及由此的電(dian)路板(ban)和熱電(dian)元件模塊(kuai)25.氮化(hua)硅(gui)粉末的制(zhi)造方法26.氮化(hua)硅(gui)粉末的制(zhi)造方法及設備。
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25氮化(hua)硅(gui)(gui)粉末(mo)的制(zhi)造(zao)方(fang)法(fa)(fa)26氮化(hua)硅(gui)(gui)粉末(mo)的制(zhi)造(zao)方(fang)法(fa)(fa)及(ji)(ji)設備27氮化(hua)硅(gui)(gui)粉體α相轉相裝(zhuang)置28氮化(hua)硅(gui)(gui)工(gong)程陶(tao)瓷燒(shao)結新工(gong)藝29氮化(hua)硅(gui)(gui)和(he)碳化(hua)硅(gui)(gui)一維納米結構及(ji)(ji)其制(zhi)備方(fang)法(fa)(fa)。
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一種制造高純度超細(xi)氮化(hua)硅的方法及(ji)設(she)(she)備,其特征是硅烷和氨氣的氣相化(hua)學反應(ying)是在立式雙溫區流(liu)態反應(ying)器(qi)3中進(jin)行,該(gai)反應(ying)器(qi)流(liu)態床(chuang)底部設(she)(she)有不(bu)銹鋼制造的分(fen)配板31,載體(ti)。
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[圖文]25、氮化(hua)硅(gui)(gui)粉末的制造方(fang)(fang)法26、氮化(hua)硅(gui)(gui)粉末的制造方(fang)(fang)法及設備(bei)27、氮化(hua)硅(gui)(gui)粉體α相轉相裝置(zhi)28、氮化(hua)硅(gui)(gui)工(gong)程陶(tao)瓷燒結新工(gong)藝29、氮化(hua)硅(gui)(gui)和(he)碳化(hua)硅(gui)(gui)一維納米(mi)結構及其(qi)制備(bei)方(fang)(fang)法30。
氮化硅的生產方法-《無機鹽工業》1987年03期
氮化(hua)硅的(de)生(sheng)(sheng)產方(fang)法(fa)劉佩珠摘要(yao):正(zheng)本介(jie)紹的(de)Si_3N_4的(de)生(sheng)(sheng)產方(fang)法(fa)如下:采用固體二(er)硫化(hua)硅與氣態氨(an)反應,溫度控制在800～1450℃,回(hui)收無定形Si_3N_4。。
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在亞微米的(de)(de)生(sheng)產制造技術中,氮化(hua)硅(gui)工藝的(de)(de)particle已經成為(wei)產品良率的(de)(de)主要(yao)影(ying)響因素。本文主要(yao)針對(dui)立式LPCVD氮。
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經營模式:生(sheng)產(chan)加工(gong)聯系人(ren):童國松電話:0571-86603302傳真:0571-8660330654、一種造粒燃燒合成氮化(hua)硅的生(sheng)產(chan)方法(fa)55、氮化(hua)硅粉末(mo)的制造方法(fa)及設備56。
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2012年(nian)9月(yue)19日-2CN02100873.6一種制造電池的燒結鎘負極(ji)的方法及(ji)其制造產品3CN70CN86100384氮化硅(gui)工(gong)程陶(tao)瓷(ci)燒結新工(gong)藝71CN86106840熱窯燒結設備與(yu)。
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[圖文]摘要(yao):摘要(yao):研究了等離子增(zeng)強化(hua)(hua)學氣相淀積(PECVD)工(gong)藝中射頻(pin)(pin)(pin)條件(功率和頻(pin)(pin)(pin)率)對氮化(hua)(hua)硅薄膜應力的影響。對于(yu)不(bu)同射頻(pin)(pin)(pin)條件下薄膜的測試結果(guo)表明:低頻(pin)(pin)(pin)(LF)時(shi)氮化(hua)(hua)硅。
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氮(dan)化(hua)硅(gui)收集平臺,涉及(ji)多晶(jing)硅(gui)生產(chan)設(she)備(bei)領域,尤其是涉及(ji)多晶(jing)硅(gui)生產(chan)中(zhong)氮(dan)化(hua)硅(gui)的收集臺,一種(zhong)移除氮(dan)化(hua)硅(gui)層(ceng)的方(fang)法(fa)(fa),此方(fang)法(fa)(fa)系首先提供一晶(jing)圓,其中(zhong)晶(jing)圓上已形(xing)成(cheng)有一氮(dan)化(hua)硅(gui)層(ceng)。
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7-BG520氮(dan)化硅只讀(du)存儲器(qi)的(de)結構與(yu)制造方法8-BG520低壓燃燒合成氮(dan)化硅或氮(dan)化硅鐵的(de)方法及設備9-BG520利用原(yuan)子層沉積(ji)法形成氮(dan)化硅間(jian)隙(xi)壁的(de)方法10-BG520密封。
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[圖(tu)文]本文主要針對立式LPCVD氮(dan)化硅(gui)爐管的(de)(de)氮(dan)化硅(gui)制(zhi)造工藝(yi)中所遇(yu)到(dao)particle問題進行(xing)研究。通過大量的(de)(de)對比性實驗進行(xing)排查與分析,并利用各種先進的(de)(de)實驗的(de)(de)設備和(he)器材找(zhao)到(dao)產生。
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第四(si)節主要生(sheng)(sheng)產設備情況介紹第四(si)章2011-2013年中國碳化硅(gui)結合(he)氮(dan)(dan)化硅(gui)磚(zhuan)市場圖(tu)表(biao):碳化硅(gui)結合(he)氮(dan)(dan)化硅(gui)磚(zhuan)理化性質一覽圖(tu)圖(tu)表(biao):碳化硅(gui)結合(he)氮(dan)(dan)化硅(gui)磚(zhuan)生(sheng)(sheng)產工(gong)藝流程。
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河南(nan)科技(ji)大學畢業設計(論文)I噴(pen)涂(tu)工藝對(dui)氮化硅涂(tu)層品質的影響摘(zhai)要鑄造因此容(rong)易(yi)在制造工藝中受石英、石墨、設備以及管道等(deng)的沾污。坩堝的使用一(yi)方面提高。
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通過(guo)幾年不斷技術(shu)創新,工藝(yi)優化(hua),積(ji)累(lei)了豐富的氮化(hua)合金生(sheng)產經(jing)驗。公司擁有(you)三個(ge)生(sheng)產車間,十幾臺國內先進的氮化(hua)物(wu)產品生(sheng)產設(she)備(bei),建(jian)立了完(wan)發(fa)聯系(xi)信合肥(fei)開爾納(na)米。
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本廠以(yi)“業潤社會”為經(jing)營理念,憑著國內的生(sheng)產設(she)備,全(quan)體員工努力進取,銳意采用(yong)先進的氣壓、熱等靜(jing)壓燒結工藝(yi),批量生(sheng)產氮化硅(Si3N4)、氧(yang)化鋯(ZrO2)。
畢業設計(論文)-噴涂工藝對氮化硅涂層品質的影響-豆丁網
技(ji)術難(nan)題:1.生產氮(dan)化硅錳從技(ji)術上(shang)采用(yong)普通硅錳和普通硅鐵作(zuo)為原料(liao),工(gong)藝上(shang)采用(yong)物料(liao)5.所用(yong)的臥式(shi)推板(ban)窯等(deng)加熱設備利用(yong)電感應(ying)加熱方式(shi),在微正壓下工(gong)作(zuo),省去了真空。
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公司(si)簡介(jie)北京金海虹(hong)氮化硅有限公司(si)是高新(xin)技術企(qi)業,開發、生產(chan)(chan)高技術氮化硅結(jie)合先進的(de)(de)生產(chan)(chan)設(she)備,獨特的(de)(de)生產(chan)(chan)工(gong)藝(yi),完(wan)善的(de)(de)檢測(ce)手(shou)段,科學的(de)(de)管理體系,2005年5月獲得。
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你可能要查找:陶(tao)瓷生產(chan)加工機械(xie)機械(xie)及行業設備(bei)詳細信息產(chan)品(pin)規格:產(chan)品(pin)數量用(yong)這種(zhong)現代先進(jin)工藝制成的特(te)種(zhong)陶(tao)瓷產(chan)品(pin)具有密度(du)高且均勻,尺寸精度(du)高等優(you)點。氮化硅。
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北(bei)京(jing)金(jin)海虹(hong)氮化(hua)硅有限(xian)公(gong)司簡介(jie)北(bei)京(jing)金(jin)海虹(hong)氮化(hua)硅有限(xian)公(gong)司自主研發(fa)、生產高科(ke)技(ji)材料‘氮化(hua)硅結(jie)合碳化(hua)硅制(zhi)品’,以獨特的制(zhi)造工藝于國(guo)內(nei)外同行(xing)業水平,為有色金(jin)屬行(xing)業。
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高(gao)純氮化硅(gui)粉體(ti)(用于晶硅(gui)生產坩堝噴涂(tu)粉末)使用方(fang)法(fa)發布日期:2011-11-01分(fen)離設(she)備物性測(ce)試儀器(qi)生命科(ke)學(xue)儀器(qi)實驗箱體(ti)/安全(quan)箱水質、水分(fen)檢測(ce)。
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制作(zuo)燒結鋁礬土(tu)(tu)(tu)粉的(de)設(she)備《礬土(tu)(tu)(tu)技術分析鋁礬土(tu)(tu)(tu),均勻度,氮化硅,反應催化劑,剛玉陶瓷,》43-BG192114一(yi)種(zhong)變截面隧道窯煅燒高鋁礬土(tu)(tu)(tu)的(de)方法44-BG192114礬土(tu)(tu)(tu)面礦脫(tuo)水。
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,經過多(duo)年的(de)研制、創新,研發出全(quan)新的(de)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)配方以及一體化高純氮(dan)化硅陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)生產工藝。高純氮(dan)化硅陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)熱(re)面發熱(re)體燃氣設(she)備(bei)用熱(re)面發熱(re)體高純氮(dan)化硅陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)電熱(re)塞柴油。
高純氮化硅粉體(用于晶硅生產坩堝噴涂粉末)使用方法-阿凡達-全國
并提出了對(dui)比分析的方法(fa),在(zai)通過專業(ye)設(she)備檢測的基礎(chu)上(shang)對(dui)成品球球度、表(biao)面粗糙度研究結果表(biao)明,氮(dan)化硅陶瓷(ci)球能夠批量生(sheng)產且球度達到0.062μm以(yi)下(xia),表(biao)面粗糙度達到。
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反應燒結工藝(yi)生產的氮(dan)化硅使用壽(shou)命很(hen)短,材(cai)料存在很(hen)多氣孔,長期鋁液會滲入(ru);抗熱(re)震(zhen)用于冶金(jin)、化工、紡(fang)織、印刷、包(bao)裝、食品機(ji)械、電爐設備、電力容器、變壓器等。
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種更可靠的半導體裝(zhuang)置和(he)顯示裝(zhuang)置的高產量制造技術且(qie)未使(shi)用(yong)于制造的設備和(he)方法作為在有機化(hua)合物中所含的無機材料,可以使(shi)用(yong)氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)、氧(yang)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)。
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經營(ying)模式:生產(chan)廠家主營(ying)產(chan)品:氮(dan)化金屬粉(fen)末特種(zhong)合(he)金焊條(tiao)粉(fen)劑合(he)金粉(fen)工(gong)(gong)商公司運用自己的(de)科(ke)研成果(guo),采用先進的(de)設備和工(gong)(gong)藝(yi)技術(shu)進行各(ge)類高(gao)純(chun)硅精細化加。