MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR)研究
在固(gu)態裝配型(xing)諧(xie)(xie)振(zhen)器(SMR)方面(mian),論文采用上述模(mo)型(xing)分(fen)析了四分(fen)之一波(bo)長布拉格反射(she)(she)柵對其諧(xie)(xie)振(zhen)特(te)性(xing)的影響,得(de)到了SMR器件(jian)獲得(de)理(li)想性(xing)能(neng)所需的少反射(she)(she)柵對數(shu);另外,考慮到實際。
石英晶體諧振器行業技術文章_慧聰網
壓(ya)電層的典型厚(hou)度在幾(ji)個(ge)微米或壓(ya)力(li)場看起來與(單晶的)石(shi)(shi)英模式的石(shi)(shi)英這種類型的BAW被稱為(wei)固態裝(zhuang)配諧振(zhen)器(qi)(SMR)。魯棒性而言,,則可減少諧振(zhen)器(qi)。
ZnO固態裝配型諧振器(SMR)的模擬分析-《中國聲學學會2007年青年
ZnO固(gu)態(tai)裝配型諧振器(SMR)的模擬分析湯(tang)亮郝震宏喬東海汪承灝摘要:正1引言(yan)近年來,薄膜體聲(sheng)波諧振器(FBAR)由于其(qi)較小的體積以及(ji)可與IC電路進(jin)行單(dan)。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析_百度文庫
這(zhe)樣形成(cheng)(cheng)的諧振器是固態裝配諧振器(SMR)。在一個實施例中(zhong),襯底12由硅(Si)制成(cheng)(cheng),PZ層18由氮化鋁(AlN)制成(cheng)(cheng)。或者,也可(ke)以使用(yong)其他的壓電材料來(lai)制作PZ層18。在一。
CN1845453A-使用填充凹進區的聲諧振器的性能增強-Google
基于CMOS工藝的高性能射頻(pin)濾波器:體聲波濾波器BAW第(di)2頁/共(gong)6頁<上一(yi)頁下這種類(lei)型的BAW被稱為(wei)固態(tai)裝配諧振(zhen)器(SMR)。魯棒性而言,SMR比膜結(jie)構的BAW要好。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_中華文本庫
這種(zhong)類型的(de)(de)BAW被稱為(wei)固(gu)態裝(zhuang)配(pei)諧振器(SMR)。魯(lu)棒性而言,SMR比(bi)膜結構的(de)(de)BAW要好很多。在劃(hua)片和裝(zhuang)配(pei)所需(xu)的(de)(de)各(ge)種(zhong)標準工(gong)序中,沒有(you)機械(xie)損壞的(de)(de)風險。壓電(dian)層和電(dian)極層上。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器(BAW)
和(he)電極做成膜結(jie)構或(huo)一并沉積到(dao)一個(ge)薄的支撐膜上,形(xing)成空氣一固體交界面;還有一種方(fang)式是采用“聲波鏡”形(xing)成反射面來實現,這種結(jie)構被稱為(wei)“固態裝配諧振器(SMR)。
薄膜體聲波濾波器的材料設計及應用-豆丁網
鋯鈦酸鉛溶膠(jiao)凝膠(jiao)諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)建(jian)立微型體聲(sheng)波諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)機械結構的等效電路(lu)模型,運用PSPICE軟件研究(jiu)4湯亮;郝震宏;喬(qiao)東海;汪承(cheng)灝;;ZnO固(gu)態裝(zhuang)配型諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)(SMR)。
龍俞兆-技術總結-道客巴巴
[0003]壓電薄膜(mo)(mo)諧振(zhen)器可以(yi)分類(lei)為FBAR(膜(mo)(mo)體聲諧振(zhen)器)型和SMR(固態裝配諧振(zhen)器)型。[0003]thepiezoelectricthinfilmresonatorcanbeclassifiedasFBAR。
PZT薄膜材料的生長與應用-《廈門大學》2009年碩士論文
上述(shu)聲波器件的(de)示(shi)例(li)為諸如FBAR(膜體聲波諧振器)和SMR(SolidlyMoutedResonator:固態裝配諧振器)的(de)薄膜諧振器。Examplesoftheacousticwavedevicesuchas。
CN101083460B-Filterhavingmultiplepiezoelectricthin-
聲諧(xie)振(zhen)器(qi)(10;110;和210)包(bao)括少部分(fen)地補(bu)償(chang)通過電極壓(ya)電疊層(ceng)(ceng)(18)引入的溫度感應效應的鐵(tie)磁補(bu)償(chang)器(qi)(20;120;和220)。該補(bu)償(chang)器(qi)具(ju)(ju)有正頻率溫度系數,而疊層(ceng)(ceng)具(ju)(ju)有負。
BAW_百度文庫
包含這些壓(ya)電薄膜諧(xie)振(zhen)器(qi)的濾波器(qi)也受到(dao)關注。[0003]壓(ya)電薄膜諧(xie)振(zhen)器(qi)的例子包括FBAR(薄膜腔聲諧(xie)振(zhen)器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固態裝配諧(xie)振(zhen)器(qi),Solidly。
CN101136620B-Acousticwavedevice,filterandduplexer
將上(shang)(shang)(shang)述壓(ya)電薄膜諧振器(qi)分為兩(liang)種類型,FBAR(薄膜腔聲諧振器(qi))和SMR(固態裝配諧振器(qi))。FBAR包括層(ceng)(ceng)疊在諸(zhu)如硅或玻璃(li)的(de)(de)基板上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)電極膜、壓(ya)電膜和下電極膜的(de)(de)層(ceng)(ceng)疊結構。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析SimulationAnalysisof
包(bao)含這些(xie)壓電薄(bo)(bo)膜(mo)諧(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)器的濾(lv)波器也受到(dao)關注(zhu)。壓電薄(bo)(bo)膜(mo)諧(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)器的例子包(bao)括FBAR(薄(bo)(bo)膜(mo)腔(qiang)聲諧(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)器,FilmBulkAcousticResonator)型和(he)SMR(固態裝配(pei)諧(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)器,SolidlyMounted。
CN1340915A-聲波諧振器及在溫度變化時運行其以保持諧振的
另外(wai)值得一提的(de)是,德國的(de)Infneon公司在2003年推出了具有(you)布拉(la)格(ge)反(fan)射層結(jie)構(gou)的(de)固貼(tie)式(又稱固態裝配型)薄膜(mo)體聲(sheng)波諧振器(SMR-FBAR)[9-10].而我國關于。
CN1862959B-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
0引言固(gu)態(tai)引信諧(xie)振器是電子安全系(xi)統的重(zhong)要(yao)組成部分之(zhi)一(yi),它能在后坐加速(su)度(du)和旋轉離心力的作用下向前運動,使(shi)限位保險(xian)處于鎖定狀(zhuang)態(tai),從(cong)而使(shi)引信處于待發狀(zhuang)態(tai)。但是,。
CN1677852A-諧振器濾波器以及諧振器的制造-Google
毫米波(bo)平(ping)面(mian)振蕩器基片(pian)集(ji)成波(bo)導相位噪(zao)聲雙端(duan)口壓控振蕩器注入鎖定諧波(bo)振蕩器毫米波(bo)平(ping)面(mian)振蕩器是毫米波(bo)平(ping)面(mian)集(ji)成系統(tong)ZnO固態(tai)裝配型諧振器(SMR)的(de)模擬分析[。
CN1862959A-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
聲諧振器(10;110;和210)包括少部分(fen)地補(bu)償(chang)通過電極壓電疊層(ceng)(18)引入的溫(wen)度感(gan)應效應的鐵磁補(bu)償(chang)器(20;120;和220)。Theacousticresonator(10;110;and。
薄膜體聲波諧振器(FBAR)的結構制備工藝研究-會議論文-道客巴巴
關鍵詞:微波濾波器(qi)(qi)(qi)時(shi)域有限差分法階梯(ti)阻抗諧振器(qi)(qi)(qi)橢(tuo)圓函數濾波器(qi)(qi)(qi)多層6湯亮(liang);郝(hao)震宏(hong);喬東(dong)海;汪承灝;;ZnO固態裝配型諧振器(qi)(qi)(qi)(SMR)的模擬分析[A];。
固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進展-豆丁網
摘要固(gu)態微(wei)型(xing)諧振器的工作頻率(lv)高、功(gong)率(lv)容量大、損耗低、體積小,是目(mu)前(qian)有(you)望(wang)第(di)三種為本研究采用反(fan)射層聲學隔(ge)離(li)固(gu)定結構(SolidlyMountedResonatorSMR),如圖l一。
MEMS固態引信諧振器的系統級設計與仿真-《科技廣場》2007年09期
在(zai)固態裝配型諧振器(SMR)方面,論文采用(yong)上述模型分(fen)(fen)析了(le)四(si)分(fen)(fen)之一波(bo)長布(bu)拉(la)格反射(she)柵對其諧振特性的影響,得到(dao)(dao)了(le)SMR器件獲得理想性能所需(xu)的少反射(she)柵對數;另外,考慮到(dao)(dao)實(shi)際。
復合雙壓電層FBAR的建模與仿真楊成韜1,李健雄1,許紹俊2,銳1,-
這樣形成的諧振器是(shi)固態裝配諧振器(SMR)。Thethusformedassemblyoftheresonatoriidresonator(SMR).在一個實施(shi)例(li)中,襯(chen)底(di)12由(you)硅(Si)制成,。
基于基片集成波導的高性能毫米波平面振蕩器研究與應用-《電子
大字報利用(yong)無線傳感器網絡實現運動(dong)聲(sheng)源的定位(wei)與跟蹤(zong)錄取,報告(gao)用(yong)相對運動(dong)幾何求解(jie)BOT問題(ti)ZnO固態裝配(pei)型諧振(zhen)器(SMR)的模(mo)擬分(fen)析PGC解(jie)調(diao)光纖傳聲(sheng)器技術的討論一種單。
CN1229917C-Soundwaveresonator-Google
將(jiang)上(shang)述壓(ya)電(dian)(dian)薄膜(mo)諧振器(qi)分為兩種類型(xing),FBAR(薄膜(mo)腔聲諧振器(qi))和SMR(固(gu)態裝配(pei)諧振器(qi))。FBAR包(bao)括層疊(die)在諸如硅或玻璃的(de)基板(ban)上(shang)的(de)上(shang)電(dian)(dian)極膜(mo)、壓(ya)電(dian)(dian)膜(mo)和下電(dian)(dian)極膜(mo)的(de)層疊(die)。
無線通信系統中的微波濾波器性能及小型化研究-《上海大學》2004
2007年10月(yue)31日-壓電薄膜諧振(zhen)器可分成(cheng)FBAR(薄膜塊體聲(sheng)波諧振(zhen)器)型(xing)(xing)和SMR(固態裝配諧振(zhen)器,solidlymountedresonator)型(xing)(xing)。Thepiezoelectricthinfilmresonatormay。
基于MoTi布拉格反射層的固態微型諧振器與濾波器的研究-豆丁網
該傳(chuan)感器是(shi)混合型諧振無源諧振結(jie)構,其可以在制造過程中(zhong)被(bei)集成于(yu)車(che)輛地面連接裝(zhuang)(zhuang)置HBAR“高模薄膜體聲波諧振器”),或者帶有布拉格反射鏡(SMR“固態裝(zhuang)(zhuang)配型諧振。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_百度文庫
該傳感器是混合型諧振(zhen)(zhen)無源(yuan)諧振(zhen)(zhen)結構,其可以在(zai)制(zhi)造過(guo)程中被集成于車輛地面連接裝(zhuang)置HBAR"高(gao)模薄膜(mo)體聲(sheng)波諧振(zhen)(zhen)器"),或者帶(dai)有布拉格反射鏡(SMR"固態裝(zhuang)配型諧振(zhen)(zhen)器"。
院機構知識庫網格(CASIRGRID):MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(
2010年6月16日-[0020]壓電薄(bo)膜(mo)諧振(zhen)器(qi)(qi)(qi)包括FBAR型和SMR型,其(qi)中FBAR是薄(bo)膜(mo)體(ti)聲波諧振(zhen)器(qi)(qi)(qi)(Film-BulkAcousticResonator)的縮寫,以及SMR是固(gu)態安裝(zhuang)諧振(zhen)器(qi)(qi)(qi)(SolidlyMounted。
CN1845453A-Acousticresonatorperformanceenhancement
2005年(nian)10月5日-將上述壓電(dian)薄膜諧(xie)(xie)振器分為(wei)兩(liang)種類(lei)型,FBAR(薄膜腔聲諧(xie)(xie)振器)和(he)SMR(固態(tai)裝配(pei)諧(xie)(xie)振器)。Theabovepiezoelectricthinfilmresonatorisdividedinto。
薄膜諧振器技術概述_百度文庫
[0003]壓電薄膜(mo)諧振(zhen)(zhen)器可(ke)分(fen)成FBAR(薄膜(mo)塊(kuai)體聲波(bo)諧振(zhen)(zhen)器)型(xing)(xing)和SMR(固態裝配(pei)諧振(zhen)(zhen)器,solidlymountedresonator)型(xing)(xing)。FBAR具有由上部(bu)電極、壓電膜(mo)和下部(bu)電極構成的。