碳化矽-維基百科,自由的百科全書
氮和鋁是碳(tan)化(hua)矽中常見的(de)(de)(de)雜質,它們會影響碳(tan)化(hua)矽的(de)(de)(de)電導(dao)率。[14]純的(de)(de)(de)碳(tan)化(hua)矽是用Lely法制造的(de)(de)(de)。[15]通過將碳(tan)化(hua)矽粉末(mo)在2500°C的(de)(de)(de)氬氣氛(fen)下升(sheng)華后再(zai)沉積形成鱗(lin)片(pian)。
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2013年10月1日-baSiC-T營運成本(ben)低且自動化程度(du)高,這(zhe)推(tui)動碳化矽實現經濟型(xing)大規模(mo)生產(chan)。除了(le)baSiC-T以(yi)外,PVATePla的其它一系(xi)列設備已經用於電(dian)力電(dian)子產(chan)業。
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2013年(nian)3月(yue)14日-在這(zhe)一性價比上,通(tong)過提(ti)高效(xiao)率和由於基於碳化矽系(xi)統(tong)帶來(lai)的(de)較(jiao)小尺寸和重量降(jiang)低安裝成本(ben),他們能夠為原始(shi)設備(bei)制造商降(jiang)低系(xi)統(tong)成本(ben)并為終端用戶提(ti)供其(qi)它的(de)節(jie)約。
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2012年6月11日-碳(tan)化矽(SiC)半導體/電(dian)子設(she)備(bei),與(yu)傳統的矽為(wei)基礎的半導體/電(dian)子設(she)備(bei)設(she)備(bei)制造商原料提供者晶圓/晶圓設(she)備(bei)制造商研究機關(guan)附錄圖表。
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[圖文]在資金方(fang)面,由於碳化矽材料的成(cheng)本約占(zhan)終零組件(jian)成(cheng)本的40%以(yi)上,加上生產時需要特定的設備(bei)與制(zhi)程(cheng),因此(ci)對(dui)於零組件(jian)廠商(shang)來說將形成(cheng)一(yi)個強(qiang)大(da)的資金障(zhang)礙。圖二SiC零組件(jian)。
銳的碳化矽功率MOSFET為臺達公司實現下一代太陽能轉換器_新能源
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市場報導:2007年碳化矽(SiC)晶圓將可達80萬片
產品型號:碳化(hua)(hua)矽GC#2000K原產地:中國品牌:碳化(hua)(hua)矽GC#2000K價格:1元煤化(hua)(hua)驗設(she)備(bei)研(yan)制(zhi),煤化(hua)(hua)驗設(she)備(bei)生產,三(san)源量熱儀銷售/批發煤化(hua)(hua)驗設(she)備(bei)研(yan)制(zhi),煤中國。
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[圖文]在矽基板(ban)上面長晶,這種方法的意義(yi)在于要降低(di)大尺寸晶圓在生(sheng)產為LED時的成(cheng)本(ben)機械性能(neng)差不易切割(ge)通過激光劃(hua)片所克服(fu),很(hen)大的熱(re)失配(pei)對外延層形(xing)成(cheng)壓應力因而不會。
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藍寶石碳化矽兩強相爭勝負未定,矽基板GaN基板可能會異軍突起
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各式噴(pen)砂機(ji)、打砂機(ji)、研掃機(ji)、珠(zhu)擊(ji)機(ji)等(deng)表面(mian)處理設備專業制造Specializedin噴(pen)砂、鋼珠(zhu)、碳(tan)化矽、玻璃珠(zhu)、噴(pen)砂機(ji)、雕(diao)刻機(ji)、研磨(mo)材放(fang)大ZOOM。
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[圖文]2012年11月(yue)29日(ri)-目前市(shi)場上LED用(yong)到(dao)的(de)襯底材料(liao)有藍寶石、碳化(hua)矽(xi)(xi)可以采用(yong)IC廠折(zhe)(zhe)舊(jiu)的(de)自動化(hua)矽(xi)(xi)工藝線,設備折(zhe)(zhe)舊(jiu)而(er)矽(xi)(xi)襯底材料(liao)的(de)生產技術已非常成熟,大尺(chi)寸矽(xi)(xi)。
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(鐵氟龍、碳化(hua)矽、鉆石)鋁合金硬質陽極處理。(HardAnodizing-硬陽處理)主(zhu)要(yao)生(sheng)產設備、環保設備及品檢儀器:2002年11月參加廣州(zhou)第十六屆中國(guo)國(guo)際(ji)表面(mian)。
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